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  • H2流量对硅碳棒的影响

    2022-01-20 H2流量对硅碳棒的影响

    明即使是在生长结束以后,硅碳棒金属Ni都没有完全耗尽,表明在整个生长过程中,始终有足量的催化剂。催化剂的多少,直接决定在Si基片上以VLS生长机制合成的是硅碳棒还是硅碳棒薄膜。其生长示意图,如图3-11所示。

  • 硅碳棒D和探测器支架E的角位置保持固定关系

    2022-01-16 硅碳棒D和探测器支架E的角位置保持固定关系

    在整个测量过程中,硅碳棒D和探测器支架E的角位置保持固定关系,当H转过e角时,E必须转过20角,即GJE=0.5,这样硅碳棒与计数器连动,常记为e2e事实上,连动关系非常重要,它确保了x射线在硅碳棒上的入射角和反射角始终相等。

  • 沉积在硅碳棒基片上形成金属Ni薄膜

    2022-01-14 沉积在硅碳棒基片上形成金属Ni薄膜

    在利用硅碳棒晶须研究VLS生长机理的过程中,我们选用单晶硅碳棒基片作为衬底,金属Ni作为催化剂,合成硅碳棒晶须。

  • 硅碳棒技术已经逐渐走向成熟

    2022-01-12 硅碳棒技术已经逐渐走向成熟

    经过多年的发展,随着人们对硅碳棒技术研究的不断深入,硅碳棒技术已经逐渐走向成熟,目前,硅碳棒技术已经成为制备薄膜的重要手段之一,而为人们所广泛使用。

  • 硅碳棒单晶生长条件非常苛刻

    2022-01-10 硅碳棒单晶生长条件非常苛刻

    但是由于硅碳棒​单晶生长条件非常苛刻,使得单晶硅碳棒依然存在非常多的缺陷,例如:大角晶界,小角晶界,陨石坑,3C夹杂物,大的台阶集束以及大量的微管等等,缺陷的存在严重影响了外延层的质量。

  • 硅碳棒薄膜的异质外延生长

    2022-01-05 硅碳棒薄膜的异质外延生长

    硅碳棒​单晶基片不仅制备复杂,同时由于表面许多缺陷的存在,严重地影响了硅碳棒材料的电学性质。因此,硅碳棒器件很难直接制作在硅碳棒基片上。

  • 硅碳棒自组装生长机理及自组装生长控制研究

    2022-01-03 硅碳棒自组装生长机理及自组装生长控制研究

    以金属Ni作为催化剂,SiH4和C2H2作为反应气体,以Si为基片在高温下合成硅碳棒​晶须,研究了VLS生长机理,以及温度、气压、催化剂厚度等工艺条件对硅碳棒晶须生长的影响。

  • 硅碳棒的导热系数比其他耐火材料要大

    2021-12-31 硅碳棒的导热系数比其他耐火材料要大

    在以上诸多问题存在的情况下,人们开始使用新的电加热部件—硅碳棒。其优点如下:  1、抗热震性能十分优越:硅碳棒是在高温下制成的。其平均热膨胀系数在25一1400℃范围内大约为4.4x10-/

  • 硅碳棒在微化学工艺尾气处理设备方面的具体应用

    2021-12-29 硅碳棒在微化学工艺尾气处理设备方面的具体应用

    碳化硅超强的红外辐射性能、抗热震性能、耐高温腐蚀性能使其在电加热领域发挥着超强节能环保的作用。文章针对硅碳棒在微化学工艺尾气处理设备方面的具体应用进行分析和探讨。

  • 采用正确安装方法安装硅碳棒

    2021-12-24 采用正确安装方法安装硅碳棒

    安装硅碳棒需按照(图1)的位置安装好加热器,安装时,要在护板2和保护套法兰上端面之间、护板1和保护套法兰下端面之间、护板1和加热器底板之间的位置分别放10mm的保温棉4,加热器和保护套管安装好后

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