-
2022-02-23 采用重结晶工艺生产的硅碳棒
目前国内硅碳棒生产厂家采用重结晶工艺生产的硅碳棒热端密度一般低于2.43g.cm，且存在着电阻离散性大、致密度低、使用温度低、使用寿命短等问题。
-
-
-
2022-02-16 多孔硅碳棒的小孔尺寸和密度
多孔硅碳棒生长研究实验中，将温度控制为1100℃HZ流量为100sccmMTS流量保持为20scan生长时间为1小时，当到达生长温度后，通入MTS和场生长结束后的样品表面形貌如图6一所示。从6-2(a)中非常清晰地看到，在较为平整的薄膜表面形成了许多大小不一的小孔。
-
2022-02-14 VLS机理生长硅碳棒的表面台阶结构
为了更加清晰地反映出VLS机理生长硅碳棒的表面台阶结构，我们进一步采用原子力显微镜观察了VLS自组装工艺生长硅碳棒同质外延薄膜，其结果如图5-7所示，从表面形貌可见:VLS自组装工艺生长硅碳棒同质外延薄膜呈现出表面条
-
2022-02-12 硅碳棒自组装生长机制及控制
对于硅碳棒而言，由于熔融状态下的硅碳棒非常难以得到，使得硅碳棒的质量，始终没有利用“提拉法”，从液态Si中生长出的单晶Si质量好.而在VLS生长机制中，由于有液相Ni-Si合金的加入，有利于提高硅碳棒薄膜的结晶质量。
-
2022-02-08 刻蚀有矩形凹槽的硅碳棒
首先在刻蚀有矩形凹槽的硅碳棒基片上以机械的方式填充Ni粉作为催化剂，硅碳棒基片上矩形凹槽的尺寸为0.1mmX1mm和0.05mmX1mm，深度均为100m但是，由于矩形凹槽的尺寸较大，深度较深，使用电镀技术己经很难保证在凹槽内填充足够的催化剂。
-
2022-01-28 硅碳棒微米柱电子背散射衍射
在硅碳棒的生长过程中，由于Si基片与硅碳棒薄膜之间存在8%的热膨胀系数差异，使得在实验结束的降温过程当中，会在生长的硅碳棒薄膜中形成较大的热应力。
-
2022-01-25 硅碳棒微米柱周围有大量的无定形碳生成
利用EDS分别对两个微米柱进行分析，如表4-1所示。硅碳棒分析表明不论是以CH4还是C2H2为碳源生长的薄膜都只含Si, C和Ni三种元素。但表今1的EDS成份分析数据显示以CZH2作为反应气体生长出的微米柱C元素原子百分含量很高
-
2022-01-22 通过硅碳棒晶须的透射电子选区衍射分析
生长时间对硅碳棒晶须的影响生长时间也是影响硅碳棒晶须生长的重要因素。图3-15为不同时间生长出的硅碳棒晶须表面形貌图.实验中，将H2流量控制为500SiH4和CZHz作为反应气体，流量分别为2和4 scan;反应室总压控制为60 Tort，生长温度Et 11 SO0C.个牛长秦拌与前
高品质硅碳棒生产厂家
专注研产销施为一体的综合性电热元件企业
全国服务热线
13869320298