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2022-03-05 降低硅碳棒挤出时的摩擦阻力
在硅碳棒挤出成型工艺中,颗粒的堆积是一种大颗粒对塑性填充料的替换,塑性填充料(细颗粒和塑化液)所占体积都要被看成是填充颗粒体积,填充料不仅对大颗粒之间的孔隙进行填充,还要将大颗粒之间彼此隔开来降低硅碳棒挤出时的摩擦阻力。
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2022-03-03 硅碳棒材料颗粒级配对高性能硅碳棒制备的影响
塑化剂配方的确定由于当挤出压力超过30MPa时,进一步提高硅碳棒挤出压力对致密化的提高有限,因此最终将成型压力定为30MPa。
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2022-02-26 密度高达2.58g/cm3的硅碳棒
根据颗粒堆积理论,对塑化剂进行优化,硬塑挤出成型,制备出密度高达2.58g/cm3的硅碳棒。硅碳棒的性能主要由制品的显微结构(主要是指制品的气孔率
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2022-02-24 电阻逐渐增加导致硅碳棒老化
硅碳棒的电热特性与一般的金属硅碳棒不同,在室温至900℃温度区间,随温度升高,电阻降低,表现为负的电阻温度系数;当温度超过900℃后,随温度升高,电阻增加幅度较大,表现为正的电阻温度系数。
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2022-02-22 r-30型箱式电炉硅碳棒的改装
r-30型高温箱式电炉的硅碳棒共有六矩,炼短由一根 X so和两根J X3= 0的碳化硅棒祖成,采用双星形接法,如图3。这种电煽在使用当中
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2022-02-17 释放硅碳棒与Si基片之间的应力
以MTS为反应气体,流量为20scan,HZ作为载气,流量固定为500scan,生长温度为1100℃,反应时间为5分钟。生长出的硅碳棒如图6-7所示。
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2022-02-15 传统CVD外延工艺性长的硅碳棒
在“两步法”外延工艺生长的硅碳棒X射线倒易空间衍射图谱中(图5-11),第二步“传统CVD”工艺的衍射峰与第一步的“VLS”工艺衍射峰沿横轴(m2e>和纵轴(w)方向分离。
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2022-02-11 反应气流的变化会影响长条状的硅碳棒
影响硅碳棒选择性生长的因素还有很多,例如,反应气流的变化会影响长条状的硅碳棒形貌.实验中,将制作好催化剂的Si基片放置在石墨舟的凹洞处,再稍倾斜的盖上托盘,只留出一极小的缝隙以便反应气体通过。