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2022-02-07 表征硅碳棒微米柱的结晶质量和应力状态
物质分析中发现，所有相同条件下生长的硅碳棒微米柱，拉曼谱基本相同:除去Si基片峰，硅碳棒微米柱的拉曼峰值出现在795.1和%6etri1，对应于3C-硅碳棒的横向声子峰位和纵向声子峰位，并且除去Si基片峰和
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2022-01-26 反应室气压对硅碳棒微米柱生长的影响
反应室气压也是影响硅碳棒微米柱生长的重要因素。实验中，反应室温度为1350 ℃，反应时间仍为1小时，将SiH4和CH4流量分别为3 scan和1 3 sccm,反应室气压分J为10图4-16为不同反应室气压生长出的硅碳棒微米柱断面的SEM图片。
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2022-01-23 单个硅碳棒微米柱的断面形貌
生长后的硅碳棒基片表面形貌如图4-3(a)所示。与图4-1比较发现，生长前后的硅碳棒基片表面形貌差异很大.在生长后的硅碳棒基片表面上，已经完全看不见圆孔的存在，取而代之的是条纹状薄膜的出现。
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2022-01-21 生长温度对硅碳棒晶须的影响
图3-13是不同温度下制备的硅碳棒晶须的扫描电子显微镜(SEM)照片.在生长过程中，HZ流量保持为SOOsccm-CZHZ和SiH4的流量分别是2.Ssccm和Ssccm.生长时间为20分钟，温度为1050 ℃-1350 ℃，反应室气压控制为Torr
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2022-01-15 汇聚电子束轰击硅碳棒表面
事实上，汇聚电子束轰击硅碳棒表面时，与硅碳棒表面的物质发生作用，有七种信息产生:背散射电子、二次电子、荧光、特征X射线、俄歇电子等，如图2-6所示。
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2022-01-13 硅碳棒温度的控制主要是用温度自动控制仪来实现
采用低压化学气相沉积(LP硅碳棒)系统制备硅碳棒。整个系统原理图如图2-1所示。从本质来说，整个系统是一个冷壁低压硅碳棒系统。
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2022-01-11 流量等反应条件对多孔硅碳棒薄膜生长的影响
开展了硅碳棒薄膜的vl,s自组装外延生长研究生长硅碳棒微米柱的研究中发现，在高温下，大面积液滴有可能会在基片表面运动，从而导致硅碳棒微米柱的横向生长，形成了大面积的硅碳棒薄膜。
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2022-01-09 硅碳棒薄膜的同质外延生长
硅碳棒同质外延一般是指在硅碳棒基片上外延生长出与基片结构取向一致的硅碳棒薄膜。在硅碳棒基片上，由于众多缺陷的存在，严重地影响了硅碳棒材料的电学性质。
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2022-01-04 制备硅碳棒的技术也不断的发展
随着人们对硅碳棒材料认识的不断加深，制备硅碳棒单晶的技术也不断的发展。大多数半导体材料的单晶都能从熔体或者溶液中生长，例如，利用提拉法，可以得到半径很大，质量很高的si单晶。
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