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2021-08-14 装置用MoSiloxide硅碳棒进行真空脱Na处理
如图3所示，经1 300℃处理l00 h后，硅碳棒未脱Na试样表面出现一些白色斑点，这些白色斑点是在Na组分自试样内部向外挥发过程中形成的富Na区域，其结构较疏松，并往往存在有微小孔洞.白色斑点作为表面缺陷，严重损害了硅碳棒保护膜的完整高温蟋变
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2021-08-10 支撑芯对碳素纤维硅碳棒热惯性影响
图2为以上样品的热惯性测试结果.由图2可以看出，随通电时间的增加，硅碳棒元件的瞬时温升基本呈二次曲线变化，最初升温60 s内的升温速率较快，而60。之后的升温速度缓慢，逐渐趋向于.稳定值对比相同线型的元件，支撑芯的存在大大降低了元件测试时间范围内的
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2021-08-06 硅碳棒蓄热室氧化炉的控温原理
硅碳棒蓄热室氧化炉的温度控制系统是由检测K型热电偶(直径22 mm，外保护套采用耐高温的316L ) , PLC(西「]子300系列)、可控硅控制器、驱动模块以及硅碳棒组成。目标温度可以在HM工上手动输入，输入值传入PLC，成为温控系统的目标温度。
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2021-08-02 控制算法的硅碳棒性提出了更高的要求
由于文中温度控制对象在温度升高过程中会发生变化。这就对控制算法的硅碳棒性提出了更高的要求。双闭环自适应模糊PID算法比常规PID控制算法具有更强的硅碳棒性，这一特点使双闭环自适应模糊PID算法比
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2021-07-29 外环温度硅碳棒控制器设计温度外环采用阂值控制
外环温度硅碳棒控制器设计温度外环采用阂值控制与自适应模糊PID控制相结合的控制算法。当硅碳棒电炉实际温度和设定温度值的偏差较大lel时，为了保护系统和提高加热速度，采用阂值控制实现粗调;在炉温
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2021-07-22 硅碳棒的双闭环控制系统的升温特性
硅碳棒的双闭环控制系统的升温特性大致分为三个阶段。第一阶段就是电流上升阶段，这一阶段外环在突加温度期望信号To时，硅碳棒温度控制器的输入偏差信4T =戈，硅碳棒温度控制器输出控制为最大值。
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2021-07-03 硅碳棒模糊控制理论及技术得到了广泛的应用
自提出模糊数学以来，吸引了众多的学者对其进行研究，使其理论和方法日臻完善，并且广泛地应用于自然科学与社会科学的各个领域。成功地将模糊理论应用于锅炉和汽轮机的过程控制，从那时起，硅碳棒模糊
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2021-06-29 出现在硅碳棒控制系统的不同位置
滞后环节可能会出现在硅碳棒控制系统的不同位置，如主要过程可能涉及长距离的液体传输，或包含长时间的潜伏期;测量装置可能需要较长的时间间隔才能完成采样和分析，如气相色谱仪;执行器可能需要一定的时间产生执行信号。
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