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  • H3B03对硅碳棒电阻率的影响

    2022-05-11 H3B03对硅碳棒电阻率的影响

    A1z03,FeZ03,H3B03对硅碳棒​电阻率的影响图5为A1z03,Fe203和H3B03对硅碳棒电阻率的影响。从中可以看出,加人了AIZ03的硅碳棒的电阻率明显下降。

  • 硅碳棒炉温控制精度要求

    2022-05-05 硅碳棒炉温控制精度要求

    如果对硅碳棒​炉子保温时每周期送电时间没有测定过,则旋钮W;的调节要在硅碳棒炉子刚刚保温时断、送电的几个周期内进行。首先找到“报警器”响与不响的临界点,然后把旋钮指示值比临界点提高1一2秒。

  • 硅碳棒质匣钵防护措施

    2022-05-03 硅碳棒质匣钵防护措施

    我们主要从事硅碳棒耐火材料检测工作,因此每月都对各种耐火浇注料、可塑料进行热处理和加热永久线变化试验。对于不含酸(碱)的浇注料、可塑料其高温下对硅碳棒的侵蚀非常微弱,虽有出现氧化现象,但也不至于太多影响硅碳棒的使用寿命。

  • 烧成温度对硅碳棒性能的影响

    2022-05-01 烧成温度对硅碳棒性能的影响

    素烧温度对硅碳棒​的影响素烧过程按其各阶段的性质划分为三个不同的阶段。即结合剂软化及挥发物大量排出阶段、结合剂的焦化阶段、冷却阶段。

  • 硅碳棒发热元件氧化表面和断口形貌分析

    2022-04-29 硅碳棒发热元件氧化表面和断口形貌分析

    对硅碳棒​电热元件氧化表面和断口形貌分析表明(见图6),其在16000C氧化时,电热元件表面主要生成气相产物而挥发,此时主要的氧化过程为:SiC<s)+唤(g)一Si0(g)+CO(g>而断口处除了上述伴有气相产物生成反应外。

  • 硅碳棒生长的温场要求

    2022-04-27 硅碳棒生长的温场要求

    硅碳棒采用SDTQ6001型差热分析仪器,以100 mL/min的速率通人N2做保护气氛,升温到500℃后,以10℃/min的升温速率加热到1150 ℃,稳定2 min,再以10 ℃/min的降温速率冷却到500℃,测试曲线如图1所示。

  • 在同一炉中新旧硅碳棒可混合使用

    2022-04-25 在同一炉中新旧硅碳棒可混合使用

    在1400-1700℃的温度段,通常选用硅碳棒​加热元件。硅碳棒加热元件是用粉末冶金法挤压、烧结而成,冷端与热端是通过焊接连接起来的,冷端较粗,供引出用,热端较细,电阻较大,供发热用,常用的有6 mm和9 mm两种。

  • 提高硅碳棒的使用寿命保证蓄热室氧化炉的净化效率

    2022-04-17 提高硅碳棒的使用寿命保证蓄热室氧化炉的净化效率

    硅碳棒采用星型连接。硅碳棒分成两组,每组9根硅碳棒,9根硅碳棒按照阻值相近分成3组。硅碳棒通过厂家配套的瓷套固定氧化炉的上室体,横穿在氧化室内,与废气气流方向垂直,保证氧化室内热流分布更加均匀。

  • 防止气体偏流烧损硅碳棒

    2022-04-12 防止气体偏流烧损硅碳棒

    &nbsp;&nbsp;图4为炉膛及硅碳棒火焰烧损照片。可以看出:侧炉膛及硅碳棒有明显烟熏烧痕迹;鉴于数次事故中,炉子加热体左侧较为完好,而右侧较为过火面烧损较为明显,这明显表明反应烟气偏流到右侧,致使右侧发热体

  • LZ硅碳棒电加热设计

    2022-04-06 LZ硅碳棒电加热设计

    真空电阻炉加热计算公式:Q=nRT;配电及硅碳棒:电炉功率360 kW,均分为三区,每个区为120kW;加热体连接方式见图t炉温控制设计本案列中该炉采用直流加热方式。

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