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- 各等级硅碳棒对应的底部晶花的要求
- 各等级硅碳棒对应的底部晶花的要求硅碳棒底部晶花判断在平磨后外观分类测量环节进行，等级硅碳棒的底部晶花要求如下。 1)经少子寿命判为H4，且籽晶100%保留的硅碳棒直接判定为小晶花畦棒底部任意一个晶粒面积要小于1 cm;硅碳棒底部晶粒面积小于0.5 cm的数量占总数90%以上，见图6-a)，或籽晶部分熔化或无籽晶的，在平磨后经分类测量判断为小晶花的，归为H4。
- www.zbqunqiang.cn/show_780.html2024-04-13
- 等级进行分类有利于硅碳棒质量的管控和改进提升
- 等级进行分类有利于硅碳棒质量的管控和改进提升不同类型的多晶铸锭，其硅碳棒的质量存在较大差异，按照多晶硅碳棒等级分类标准对硅碳棒等级进行分类有利于硅碳棒质量的管控和改进提升。
- www.zbqunqiang.cn/show_779.html2024-04-12
- 三维还原炉内硅碳棒直流电加热模型
- 三维还原炉内硅碳棒直流电加热模型本文基于24对硅碳棒还原炉，建立三维还原炉内硅碳棒直流电加热模型。通过研究反应器中内、中、外环上硅碳棒半径和反应器壁发射率对硅碳棒内部温度分布的影响。
- www.zbqunqiang.cn/show_778.html2024-04-11
- 不同环上硅碳棒的辐射热损失和对流热损失
- 不同环上硅碳棒的辐射热损失和对流热损失对于外环硅碳棒，由于无其他硅碳棒阻挡，其直接面向反应器壁面。因此，随着硅碳棒半径的增大，其辐射能耗逐渐增大，且其对流热损失也缓慢增大，见图4。所以随着硅碳棒半径的增大，加热的硅碳棒对外界的热通量一直增大，从而导致其中心温度逐渐增大，即温度梯度逐渐增大,对比图3a,31)和图3<可知。
- www.zbqunqiang.cn/show_777.html2024-04-10
- 24对硅碳棒还原炉结构建立3D西门子还原炉模型
- 24对硅碳棒还原炉结构建立3D西门子还原炉模型随着多晶硅价格的竞争，降低西门子还原炉能耗成为多晶硅生存的基本法则。而增大硅碳棒数量和降低反应器壁辐射率是降低能耗的主要方法。
- www.zbqunqiang.cn/show_776.html2024-04-09