借助反应熔渗(Reactive Metal Infiltration, RMI)工艺，制备了金刚石体积分数为12%(RBSD1),17%(RBSD2), 27%(RBSD3), 39%(RBSD4)的致密金刚石一硅碳棒陶瓷基复合材料，如图2示。复合材料热导率与金刚石体积分数密切相关，当金刚石体积分数从12%增加到39%时，复合材料室温热导率从249 W/(mK)提高到329 W/(mK)采用液相渗硅(Liquid  SiliconInfiltration, LSI)或者硅合金工艺制备了高体积分数硅一金刚石一硅碳棒复合材料(金刚石体积分数55 %79%,硅碳棒体积分数3 %36%，硅或者硅合金体积分数4%-23 %)，热导率在336432 W/(mK)范围。

        利用1600℃气相渗硅工艺(VaporSilicon Infiltration, VSI)制备了金刚石一硅碳棒复合材料，当金刚石体积分数为46%时，复合材料热导率最高为562 W/(mK); 经1650℃气相渗硅，制备了热导率为518 W/(mK)的金刚石一硅碳棒复合材料，其热导率随着金刚石、硅碳棒体积分数的增加而增大，较大尺寸且表面粗糙的金刚石颗粒有利于硅蒸汽的附着沉积进而形成碳硅;研究了金刚石一硅碳棒复合材料的反应熔渗机制，认为熔融硅的爆炸蒸发，固体体积膨胀以及反应过程中的热量释放是导致复合材料致密的关键因素，制备的金刚石一硅碳棒复合材料密度为3.33 g/cm3，热导率为580 W/(mK)分别利用酚醛树脂(Phenol Formaldehyde Resin, PF)和纤维素(Cellulose)作为茹合剂，与不同粒径的金刚石以及硅碳棒粉混合后压制成坯，最后经无压渗硅(Pressureless Silicon Infiltration)制备出热导率为500 W/(mK)的高导热金刚石一硅碳棒散热件。www.zbqunqiang.cn