氮化烧结过程作为氮化硅结合硅碳棒生产的关键工序，为保证硅碳棒的纯度，采用高纯氮气(99.99%)，氮气通人管路全部进行抽真空处理，窑具进行涂层防护，半成品进行强制千燥，避免杂质及水分的引人。以气耗定升温伪原则，在反应剧烈阶段，降低升温速度;1120前发生微量反应;1120-1300℃是剧烈的放热反应阶段。1180℃和I280℃时有两个放热峰。此时严格控制升温速率，避免局部过热而造成流硅现象，从而影响产品质量及结构的均一性声1300℃烧成温度，此时生成的是以棒状俘一S13从为主，颗粒表面能趋向最小，晶粒逐渐长大;1250℃以前生成的SisN,以白色的。一Si31晶型为主，烧结产品中氮化硅以。相和日相共存。4升温速度和保温时间对氮化率的影响体密是氮化反应的一个参考指标，氮化率更能直观的反应出氮化反应的进行情况，氮化率指标反应了坯体中金属硅粉与氮气发生反应的程度，通常氮化率笋90写方可认为达到理想的空间网络结合状态。氮化率可参考下式计算:硅碳棒氮化率二硅碳棒的实际增重十(硅粉重xss.7%)。真空感应烧结炉进行烧结，低温段由功率控制，高温段由光学高温计控制，炉内相对压力稳定，压差-5ooP;不同的升温速度氮化效果翻}S较大，经过大量的实验数据可以总结出:在氮化反应激烈的时间区域内，降低升温速率，延长升温时间，确保氮化反应充分进行时非常必要的;最高烧成温度时的保温时间对氮化率影响很大，最高温度时延长保温时间，同时加大炉内气氛，确保氮化反应完全进行，大量实验结果可以看出:保温时间越长，产品氮化效果越好，但超过一定时间后变化不大，找出既经济义合理的保温时间是至关重要的。http://www.zbqunqiang.cn/