在不同反应器壁发射率条件下，硅碳棒半径为7 cm时，反应器中外环硅碳棒内部电流密度径向变化如图7所示。可以看出，随着反应器壁发射率增大，外环硅碳棒内部电流密度增大，且在径向方向形成一定的电流密度梯度。反应器壁发射率越低，其反射能力越强，硅碳棒表面接收到更多反射回来的热量，使得表面辐射热损失少，需供给硅碳棒的焦耳热相应减少，施加给硅碳棒轴向单位长度电压下降，从而通过硅碳棒内部电流相应减小，电流密度降低。且发射率越低，硅碳棒内部温度分布越均匀，使得硅的电导率变化减小，电流分布越均匀，因此电流密度径向变化小。

       基于12对棒反应器，建立了直流电加热的硅碳棒热传递模型。分析了反应器内、外环不同位置硅碳棒内部径向温度变化以及不同器壁发射率条件下，外环硅碳棒内部径向温差和电流密度变化，得到以下结论:

       (1)硅碳棒内部，在径向方向上形成了明显的温度梯度，且外环硅碳棒内部温度梯度要大于内环硅碳棒;

       (2)加热过程中，反应器壁发射率对外环硅碳棒内部温度梯度有显著影响，发射率越低，硅碳棒中心与表面温差越小;

       (3)加热过程中，反应器壁发射率对外环硅碳棒内部电流密度也有显著影响，随着器壁发射率增大，外环硅碳棒内部电流密度增大，且在径向方向形成一定的电流密度梯度。http://www.zbqunqiang.cn/