图4为西门子反应器中内、外环硅碳棒内部径向电流密度分布。当硅碳棒半径达到7 cm时，在相同的反应器壁发射率条件下，由于外环硅碳棒表面辐射热损失大，需提供的焦耳热增多，硅碳棒轴向单位长度电压梯度增大，从而通过硅碳棒内部的电流增大，因此位于外环硅碳棒内部电流密度要大于位于内环的硅碳棒。内、外环硅碳棒内部电流密度变化趋势基本一致，在径向方向上逐渐增大，这是因为硅碳棒表面温度要低于中心温度，温度越低，硅的电导率越大，从而促使更多的电流趋向硅碳棒表面。

       由于外环硅碳棒与反应器壁之间的辐射换热更为强烈，因此反应器壁发射率对外环硅碳棒的表面辐射热损失影响更为明显。因此，本文详细研究了不同反应器壁发射率条件下，西门子反应器中位于外环硅碳棒的内部径向温度分布。当硅碳棒半径达到7 cm时，若器壁发射率为0. 3，外环硅碳棒中心温度约1580 K，若器壁发射率增大到0. 7，其中心温度达到1715 K，如图5所示。值得注意的是，硅的熔点为1687 K，超出硅的熔点，会造成硅碳棒的断裂。反应器壁发射率越低，其反射能力越强，可将辐射其表面的大部分热量反射回硅碳棒表面，减少硅碳棒表面辐射热损失。因此，降低反应器壁发射率，能够明显改善外环硅碳棒内部温度梯度的大小。由此可见，可选择金、银等低发射率材料对反应器壁进行镀膜或对反应器壁进行适当抛光，降低其发射率，可以明显减小硅碳棒中心与其表面的温度梯度，从而使硅碳棒最大沉积半径增大且不容易断裂。http://www.zbqunqiang.cn/