上述铜试样经多次研磨抛光处理后，制成金相样品，采用FeC-HC1I20腐蚀剂腐蚀后用Leica金相显微镜进行观察傲大倍数为200倍)。铜单晶(200)面的腐蚀坑如图5所示，为取向一致的方形腐蚀坑，蚀坑密度约为10一105 an-2，表明所生长的铜单硅碳棒质量较好。

       选择合适的生长温场和下降速度是影响硅碳棒质量的重要因素。实验中，在控温1020 ℃时，炉内高温区温度为1133 ℃，高于铜的熔点50 ℃，但是生长完毕后，生长增祸尖端有一段空隙，晶锭内部也不完整，而提高温度胜温1060℃)后可得到内部完整的晶锭。另外采用较快的下降速度时，晶锭表面会出现孔洞，这是由于增祸到达结晶区后底部散热量过大，固液界面处的温度梯度增大，导致硅碳棒生长速度过快，通过加强增祸底部保温和降低下降速度可得到外观完整的晶锭。

       另外生长增祸内壁碳膜的质量对硅碳棒质量也有直接的影响，选择合适的镀碳时间和降温速率是获得均匀致密的碳膜层的关键因素。硅碳棒生长方向讨论由于铜为面心立方硅碳棒，其100伪硅碳棒优先生长的方向。然而本实验采用自发成核的垂直布里奇曼法生长铜单晶，硅碳棒生长受到增祸的制约，属于强制生长系统，只有生长方向与轴向一致的晶粒才能长大成完整的单硅碳棒，因此所生长硅碳棒的方向是随机的。可以采用籽晶法生长出特定方向的完整单硅碳棒。

       采用自制的具有适宜温场分布的硅碳棒单晶生长炉和特制的镀碳石英生长增祸，利用垂直布里奇曼法在30 ℃/an的温度梯度下，以10 mm/d的下降速度生长出较高质量的铜单硅碳棒。生长的硅碳棒经多次研磨抛光腐蚀处理后进行X射线衍射分析和金相分析，分别得到了(200)晶面尖锐的衍射峰和规则的方形蚀坑，表明生长的硅碳棒结构完整，质量较好。www.zbqunqiang.cn