如前文所述，硅碳棒SiC材料在辐照环境下服役，将受到中子和裂变碎片等载能粒子轰击，引起材料中格点原子离位，进而产生过饱和的空位、间隙原子、错位原子等点缺陷.点缺陷的种类和浓度受到载能粒子(能量、通量和剂量等)、硅碳棒SiC材料状态(结构)和其他服役条件(温度和压力等)等因素的影响.为了研究点缺陷类型及其浓度对3C-硅碳棒SiC热传导性能的影响，本文针对不同的点缺陷类型，构建了不同点缺陷浓度的超胞.根据前文的参数设置及计算流程，计算了不同类型点缺陷在不同浓度下的热导率，结果如图3所示.可以发现随着点缺陷浓度的增加，硅碳棒SiC材料的热导率林)下降.当然不同类型的点缺陷，对应超胞的热导率数值不同，这是由不同类型点缺陷对声子的散射行为的差异造成的.另外从图3还可以发现，错位原子(尤其是Cs)对应超胞的热导率较大，即对声子的散射较小;而Si型点缺陷(尤其是Sy)对应超胞的热导率较小，即对声子的散射较大.对比图3()和图3(b)可以发现，温度不影响上述点缺陷类型及浓度与热导率的主要规律，仅影响热导率数值的大小.另外研究过程中还发现，间隙原子构型(对于本文使用的Tersoff势函数，C间隙的稳定构型为C十一C(100),Si间隙的最稳定构型为Si十一C(100))将影响超胞的热传导行为，dumbbell间隙轴向(即其中一个(100)取向)的热导率要小于横向(即另外两个(100)取向)的热导率.www.zbqunqiang.cn