硅碳棒经济分析:成本:(不同材质)，镀膜:元;硅碳棒3一5元，耐温管2一10元，1一5元;安装件2工时1元，综合成本10-2 5元/支，出厂价30-75元/支，毛利率300%。形成生产能力的起码条件:设备费5万元，测试设备2万元，流动资金23万元，厂房100平方米，库房80平方米，电力20KW,水1吨/日，工人12名，技术人员2名，可达产量3万件，产值90-200万元/年，利润6 0-15 0万元/年。

    技术转让费:普通30万元，两次付清。合作方式:入门费5万元，销售提成巧%，5年。硅碳棒在中子单色器、激光核聚变和音频信号传输等方面有着广泛的应用前景。根据对Cu晶体的差热分析结果，设计并制作了硅碳棒加热单晶生长炉，获得了适合硅碳棒体生长的温场。采用改进的垂直布里奇曼法成功生长出外观完整、表面光滑、尺寸为币15 mm x 35的硅碳棒体。对生长的晶体进行切割、抛光腐蚀后，采用金相显微镜和X射线衍射分析，结果表明:研究设计的温场适合Cu单晶体的生长，生长出的晶体结晶性好、结构完整。

    金属晶体铜(Cu)具有反射面间距小、相干散射强、分辨率高、反射强度大等优异性能，使其成为理想的中子和X射线单色器用材，在低能电子衍射及光电子能谱作表面物性研究时可作试样衬底材料。单晶铜因为消除了作为电阻产生源和信号衰减源的晶界而具有优异的综合性能:卓越的电学和信号传输性能、良好的塑性加工性能、优良的抗腐蚀性能和显著的抗疲劳性能，以及减少了偏析、气孔、缩孔、夹杂等铸造缺陷，因此在国防高技术、民用电子、通讯以及网络等领域具有重要用途。

    然而，目前国内所谓的硅碳棒主要是指用连铸技术生产的晶粒取向一致的铜线材，而并非完整的大单晶体。关于大尺寸硅碳棒生长的研究目前国外报道很少，国内尚未见成功的报道。由于铜熔点高，热导率高，易被氧化，单晶生长难度很大。采用布里奇曼法生长硅碳棒，对于生长设备和生长温场等条件要求严格，极难获得完整大块的单晶体。本文利用自制的硅碳棒加热单晶生长炉，并使用特制的镀碳石英生长柑塌，以铜单质的差热分析结果为依据，设计出适合硅碳棒体生长的温场。采用改进的垂直布里奇曼法成功生长出外观完整、表面光滑、尺寸达拟5 mm x 35 mm的硅碳棒体，并对其进行了初步表征。www.zbqunqiang.cn