硅碳棒须是一种高强度胡须状(一维)单晶体，形态结构以户碳化硅为主，含少量a-碳化硅，晶须表面呈竹节状，其直径通常为0.1一1 m，长度为5一30 m，纯度可达99%，外观呈灰绿色。性能上具有高强度、高硬度、高弹性模量等多种优良特性，微米级晶须在增强复合材料性能方面已广泛应用。

       硅碳棒须为立方晶型，和金刚石同属一种晶型，这使其具备了极高的硬度，莫氏硬度达到9.5以上，仅次于金刚石。其熔点高达2 700℃以上，密度为3.21 g/cm3。此外，硅碳棒须的热膨胀系数较低，导热性能良好，这使得它在高温环境下能够保持稳定的性能。例如，在航空航天领域，硅碳棒须常用于制造高温元件，能够承受极端的温度变化和热冲击。

       硅碳棒须的化学特性同样出色。它不仅具有良好的抗磨、耐热震、耐高温的物理性能，在高温环境下仍能保持稳定的化学性质。同时，硅碳棒须耐腐蚀、耐辐射，化学稳定性极高。这种特性使得硅碳棒须在许多恶劣的化学环境中都能发挥作用，比如在化工领域，用于制造耐腐蚀的设备和部件。在一些有腐蚀性介质存在的工业流程中，硅碳棒须增强的复合材料能够长时间稳定运行，大大降低了设备维护和更换的成本。

       硅碳棒须具有良好的导热性和绝缘性，在电子工业中可用作大规模集成电路的基片和封装材料。作为增强组元加人塑料基体、金属基体或陶瓷基体起到增强和增韧的作用，利用碳化硅材料的高热导、高绝缘性等特性，在电视显示、现代通信、网络等领域具有很高的应用价值。在复合材料领域，硅碳棒须能够通过裂纹偏转、断晶作用、晶须拔出效应和裂纹桥联作用阻止微裂纹的进一步扩展，强化增韧复合材料，目前主要被用于金属基、树脂基、陶瓷基等复合材料上。

       硅碳棒具有多种性能优势。高温稳定性:硅碳棒的禁带宽度大，接近于Si的3倍，这使得器件的极限工作温度可以达到600℃以上，而硅碳棒的极限工作温度一般不能超过300℃，保证了在高温工作环境下的长期可靠性。高击穿电场:其临界击穿电场强度是Si的10倍，用碳化硅制备器件可以极大地提高耐压容量、工作频率和电流密度，并大大降低器件的导通损耗，适用于制备高压、大功率器件，例如二极管、功率晶体管、功率闸流管等。高热导率:热导率超过1的3倍，有助于硅碳棒的散热，在同样的输出功率下可保持更低的温度。高热导率可使硅碳棒工作时产生的热量能很快地从衬底散发，无需额外的散热装置，从而实现设备的小型化，这对于航空航天、等对设备质量有严格要求的应用领域非常重要。高饱和电子漂移速率:饱和电子漂移速率是1的2倍，决定了硅碳棒可以实现更高的工作频率和更高的功率密度。低导通损耗:例如碳化硅的功率器件(如碳化硅MOSFET)相比于Si基的IGBT，其导通电阻可以做得更低，体现在产品上就是尺寸降低，缩小体积，并且开关速度快，功耗相比于传统功率器件大大降低。高电能转换效率:碳化硅属于宽能隙材料，击穿场强度大，比Si基半导体材料更适用于高功率的应用场景。http://www.zbqunqiang.cn/