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表面除杂处理下硅碳棒的法向光谱发射率和总发射率

2026-07-25 11:09:53     点击:

       采用自动分光辐射测量测试了不同纤维类型、高温石墨化以及表面除杂处理下硅碳棒的法向光谱发射率和总发射率,利用x射线衍射仪(XRD)、显微激光拉曼光谱仪(LRS)进行物相结构分析。硅碳棒物相结构与热辐射性能的变化关系表明,T700硅碳棒中石墨微晶的结构规整程度优于T300样品,载流子辐射机制与石墨微晶的晶格振动模式增强,使得T700样品在2500-SOOOnm和5000-6500nm波段内的光谱发射率优于T300,无定型碳等紊乱结构的减少削弱了畸变结构和杂质缺陷引起的振动模式,使得6500-13000nm波段的光谱发射率较低,T700硅碳棒的光谱发射率呈现一定波长依赖性,法向总发射率低于T300样品。高温石墨化后的T300硅碳棒和国产碳毡,石墨微晶规整程度提高,载流子辐射机制与石墨晶格振动模式的增强使2500-SOOOnm和5000-6500nm波段内光谱发射率明显提高,同时畸变结构和杂质缺陷的减少使相关的辐射机制削弱,6500-13000nm内的光谱发射率降低,石墨化后硅碳棒的光谱发射率表现出明显的波长依赖性,总发射率降低。与氮气瞬时高温法相比,空气瞬时高温和硝酸液相表面除杂引起硅碳棒内部碳质物相结构的刻蚀程度不同,石墨微晶尺寸的减小削弱了载流子辐射机制,2500-SOOOnm波段的光谱发射率降低,石墨微晶相对较小的刻蚀程度使5000-6500nm波段的光谱发射率相对稳定而没有明显下降,而更加紊乱的无定型碳等物相结构的稳定性较差,发生了严重刻蚀,相关的振动模式减少使其辐射机制削弱,引起了650。一”OOOnm内光谱发射率的降低,光谱发射率的波长依赖性增强,总发射率降低。载流子辐射机制、石墨晶格振动辐射机制以及畸变结构、杂质缺陷的辐射机制共同作用使硅碳棒在测试波段内光谱发射率的波长依赖性较弱,表现出灰体材料的特性。

       测定了硅碳棒的法向光谱发射率和法向总发射率,利用扫描电子显微镜(SEM)进行表面形貌分析,系统研究了纤维排布、碳质组成、浸渍致密化工艺以及表面形貌与硅碳棒法向光谱发射率和法向总发射率的变化关系。结果表明,不同的纤维排布改变了样品的结构松散程度,多股线排布的硅碳棒预制体及碳毡的法向光谱发射率和法向总发射率均优于硅碳棒布预制体,短切纤维增强碳/碳多孔坯体的法向光谱发射率和法向总发射率优于碳布增强坯体。碳质组成的不同引起了碳素复合材料热辐射性能的变化。树脂碳紊乱畸变的结构比例大于纤维碳,较多的畸变晶格振动模式及缺陷杂质局域振动模式引起相应辐射机制的增强,使得树脂碳的热辐射性能优于纤维碳,因此碳/碳多孔坯体的法向光谱发射率和总发射率均优于其相应的纤维预制体。碳布和短纤维增强硅碳棒的法向光谱发射率和总发射率均随着浸渍致密化次数的增加出现先降低后升高的趋势,多次致密化后两组样品总发射率间的差距减小,增加树脂碳含量有利于硅碳棒发射率的提高。表面抛光引起了样品粗糙度的显著降低,硅碳棒的法向光谱发射率和总发射率均明显下降。http://www.zbqunqiang.cn/

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