加热主回路的核心器件是一对反并联的平板型单向可控硅，通过调节可控硅导通角，可以调节加热件两端电压和硅碳棒电炉的热功率。可控硅的技术参数有数十项之多，本文仅讲述正向峰值电压vvRv、反向峰值电压vRRV4和额定通态平均电流IT1、三个关键参数的选择原则。分析加热主回路可知，本系统中可控硅承受的最大峰值电压4约为537V，可控硅的正反峰值电压应为U的2一3倍，考虑裕量，电压选为1400V。由主回路可知，该硅钥棒炉加热主回路电源输入电压为380V，根据下式可以算出可控硅回路的电流有效值为42.11A。将此有效值代入式(4)，可以算出平均通态电流为23.22A。考虑裕量，平均通态电流选为50A。可控硅保护电路当可控硅损坏、触发电路故障、电源故障和负载故障中的一种及一种以上情况发生时，可控硅均可能出现过电流。由于在过载倍数相同的情况下，快速熔断器比普通硅碳棒熔断器的熔丝熔断时间短很多，即如果选择得当，过电流时快速硅碳棒熔断器的熔丝先于可控硅熔断，可控硅受到保护而完好无损。快速硅碳棒熔断器有两种接入方式:第一种是一组反并联的可控硅串接一支快速硅碳棒熔断器;第二种是每一支可控硅串接一支快速硅碳棒熔断器。如果每一支可控硅串接一支快速硅碳棒熔断器，考虑到在实际运行时有可能出现一支快速硅碳棒熔断器熔断而另外一支快速硅碳棒熔断器及可控硅完好的故障，此时当触发电路发送触发脉冲至可控硅，硅碳棒熔断器完好的可控硅有电流流过;而硅碳棒熔断器损坏的可控硅没有电流流过，即流过硅碳棒电炉变压器的电流为脉动直流。变压器的直流电阻是非常小的，根据欧姆定律可知，此时流过变压器的电流非常大，这将导致变压器出现致命性的损伤。鉴于此，我们采用了一组反并联的可控硅串接一支快速硅碳棒熔断器的接入模式。http://www.zbqunqiang.cn/