综观图可以发现，添加剂Alz03对硅碳棒密度的影响最大，其次为FezOs,影响最弱lI3B03，与未添加添加剂的相比，添加AlzOa,Fez03都能提高硅碳棒的密度。最佳密度为添加0.3%的AlzOs，硅碳棒的密度为2.314g/cm实验表明，加人Alz03后硅碳棒的电阻率明显下降，随着加入量的增大，电阻率变得越来越小，由开始的0.76SZ"cm变为0.71d2"cm。产生这种结果的原因主要是由铝及其化合物的本身结构和性质所决定的，铝的价电子层结构是3sz3p，其电离较小，属活泼金属，3+由于高电荷、小半径而具有很强的极化力，铝是缺电子原子，铝的化合物是缺电子分子。AlzOa具有高的熔点和大的硬度，有多种同质异晶形态，其中AlzOs又称活性Alz03，是一种多孔性物质，容易进人碳化硅的晶格间隙中，产生杂质离子导电，从而降低了硅碳棒电阻率。而当铁系元素与碳化硅一起烧成时，它们的离子会进人碳化硅的晶格间隙或占据晶体结构中正常结点的位置，破坏碳化硅晶体中质点排列的有序性，引起晶体内周期性热场的畸变，产生点缺陷，形成杂质离子电导。另外，由于碳化硅自身分解的碳和用于密封的活性碳都有可能渗人铁系元素的晶格空隙中，形成导电性良好的金属碳化物。对于氧化铁，在存在碳的情况下，发生还原反应:Fezq+C=FeO+COzFez+离子不稳定，有可能放出1个电子Fez+->Fe3+-f-e一产生电子电导，从而使得加人Fez03后硅碳棒的电阻率急剧下降，如图所示。添加H3同样使电阻率下降。这主要是因为H3B03的加人降低了碳化硅材料的晶界空间电荷层对载流子运动产生的阻力，使得载流子的浓度增加，运动能力增大，越过晶界的数量也增加，从而使材料的电阻率降低。综合看图FezOs对硅碳棒的电阻率影响最大，其次为Alz03,影响最弱的为Hs。当加人0.2%的FezO,时，电阻率最小为0.634cm。http://www.zbqunqiang.cn/