形貌的检测与成分分析对硅碳棒样品用JSM-6460LV扫描电子显微镜(SEM)检测进行微观分析，同时用能谱仪进行微区成分分析。单一种类添加剂的影响单一种类添加剂的影响见图2-40加人A1认的实验表明，A1203有效地抑制了二SiC的不连续长大，使SiC材料形成比较均匀的显微结构，其动力归因于Si-C间的化学健与Al-Si或Al-C间的化学键不同硅碳棒形成比较均匀的显微结构，通过能谱分析在原晶界处还形成了新相2AlqCa·S1C。主要是因为Alz岛与SiC形成固溶体活化烧结Cal，由于原料SiC颗粒表面不可避免地存在少量SiOz，在烧结过程中，AlzOa和SiOz于1700-1800℃形成固溶体，促进了颗粒重排，通过溶解、析出等烧结过程，填充了原颗粒间的空隙，促进了硅碳棒的致密化，使硅碳棒的密度随着Alz的加人而增大，在添加量为0.3%时，密度达到最大为2.314g/cma。加人Fezq使硅碳棒的密度由2.29g/cm3提高到2.31g/cm，这主要是因为:氧化物本身在高温时呈现液相而得以在常压或加压条件下进行烧结。用这种方法得到的SiC烧结体显微组织为细小的等轴状晶粒，第二相分布在三角晶界处，如图所示，在烧结过程中，生成的液相在冷却过程中，重新在颗粒间的空隙中结晶，并形成了由FezOs,C和Ale03反应生成的新的非化学计量化合物，使硅碳棒在烧结过程中致密化。对于H3B0:的加人，可以看到硅碳棒的密度是先增大后减小，这主要是因为开始少量加人H3BOz，它可以显著提高SiC的烧结收缩动力，降低SiC粉体界面能，提高粉体活性有利于烧结致密化，从而提高硅碳棒的密度。但是当过量的H3BOz加人时，它也同时会促使SiC晶粒长大，尤其是对a-SiC中的6H多型体影响最大。由于本实验采用原料为a-SiC，所以随着H3803的加人，硅碳棒的密度是先增大后减小。从图还可以看出，随着AlzOa,FezOa的加人，气孔率变大。这主要是因为加人添加剂后，形成了固溶体烧结，使得在烧结时，由于表面能的作用，液相把气孔排出来，即原来气孔所占据的空间由液相来填充，再冷却结晶后，晶体内部气孔就非常少了，可是表面气孔却变多了。这也就是随着添加剂的加入气孔率变大的原因。但加人H33不一样，它先是增加了烧结收缩动力，使得硅碳棒致密化，气孔率降低，而后促使晶粒长大，带来了更多的气孔，又使气孔率变大。不过与未添加添加剂的相比，A12、Fez唤的加人都降低了硅碳棒的气孔率。http://www.zbqunqiang.cn/