硅碳棒蓄热室氧化炉的控温原理，硅碳棒蓄热室氧化炉的温度控制系统是由检测K型热电偶(直径22mm，外保护套采用耐高温的316L),PLC(西门子300系列)、可控硅控制器、驱动模块以及硅碳棒组成。目标温度可以在HMI上手动输入，输入值传入PLC，成为温控系统的目标温度。实际温度值为从氧化炉内采集的3支热电偶传感器的平均值。目标温度与实际温度在工业控制器PLC内经过PID计算得出调节量输出给可控硅调节器，控制可控硅导通角，调节硅碳棒电源电压，从而达到控制炉温的目的。蓄热室氧化炉的特点是可以利用陶瓷蓄热砖比热容大、比表面积大、压降小以及导热性能好等特性。为保证陶瓷蓄热体的稳定运行，在初次对蓄热式氧化炉加热或者长时间停机重新启动时，需要从常温开始设定蓄热室氧化炉的加热温度梯度曲线。具体的温度曲线是。一200℃(温升3.3，并在200℃保持2h)、200一400℃(温升5℃min，并在400℃保持2h)、400一600℃(温升10℃，并在600℃保持2h)以及600一820℃(升温30min，并在800℃保持24h)。加热温度梯度按照低温烘炉、先慢后快的方式进行。可控硅控制方式采用移相控制。因为硅碳棒间断使用硅碳棒会使其不断处于冷、热交替状态，严重影响其寿命，所以升温过程中采用PID算法控制的同时，在不同的温度区间设置不同的输出上限，以保证输出电压平滑均匀，减少对控制电路和电网的负面影响。具体输出上限梯度如表所示。http://www.zbqunqiang.cn/