还显示池壁的侵蚀是在靠近硅碳棒电极最近的部位尤为严重，池墙垂直方向的侵蚀以硅碳棒电极顶部附近最显著，因为此处的池墙砖所受温度较高，玻璃液流冲刷较大。一般熔制钠钙-玻璃时，它从所接触的池墙砖上吸收了氧化铝等物质使自身密度增大，流动自上而下进行，造成如图所示的砖材侵蚀。

       液流冲刷和热冲击，在垂直布置硅碳棒电极的垂直烙化过程中主要表现为玻璃液重力对流所引起的对池墙砖的侵蚀，其侵蚀速率为式中S—因垂直对流所引起的单位侵蚀量吨/m-s,—界面上材料溶解的饱和浓度与实际浓度之差k malm, D一扩散系数，到-液流距砖的距离m，—运动粘度。

       上式表明，侵蚀速率与密度差!成正比，且与液流距离J成反比，即设外环流间断有序地冲击池墙，冲击部位侵蚀最严重，随着这股冲击液流沿池壁下流时，池墙侵蚀锐减，造成图8所示的砖侵蚀。

       对运行三年3d钠钙玻璃全电熔炉进行测定，结果如表3所示，对流速度、砖质及温度对砖侵蚀起主导作用。及硅碳棒电极侵蚀另外，在垂直布置硅碳棒电极的电熔炉中，其体积熔化率要大于同样数量水平布置硅碳棒电极电熔炉的体积熔化率。因为前者所产生的玻璃液流动较后者更均匀有效。垂直硅碳棒电极根部附近的玻璃液温度较低，因此硅碳棒电极砖侵蚀不明显，一个炉龄以后，铺底砖基本完好，所以底板砖厚度一般选择为池壁砖的三分之一左右即可。

       在小型电熔炉中，垂直布置硅碳棒电极大致有图所示几种。硅碳棒电极布置一般要考虑硅碳棒炉型、规模、熔制品种和工艺，以及所选用的硅碳棒电极材料和池坡砖材料等诸因素。的硅碳棒电极布置是目前常用的方式，它具有安装简便，控制容易等优点;(a脚)中倾斜硅碳棒电极布置能减少硅碳棒电极对池壁侵蚀，使熔制工艺更合理。倾斜角度在为宜。但这种布置的安装、操作难度较高;C8)和(j中的硅碳棒电极布置，一般用于特殊要求或特种玻璃熔制的场合。

       表中看出，在相同电功率情况下，较短硅碳棒电极产生的最高温度要高于较长硅碳棒电极产生的最高温度，而且前者产生较后者更高的对流。这是因为较短硅碳棒电极电流密度大所至。较短硅碳棒电极顶部电流密度是其底部的2倍以上。热对流和热膨胀使大部分电能在硅碳棒电极顶部释放，电流密度过大时，处于交流波上半周那根硅碳棒电极表面会产生气泡，这主要是0。一来不及迁移及接触界面玻璃过热分解。气抱不仅造成接触电压提高，使周围继续过热形成炽热点，而且对硅碳棒电极起氧化作用，在硅碳棒电极表面产生窝坑状侵蚀。

       硅碳棒电极侵蚀的原因很多，远不止高温、电流密度及热冲刷等影响，还包括烤炉时操作图xo电流密度为2.5、3直/m，使用3天的硅碳棒电极侵蚀控制、电化学作用玻璃组成及橙清剂等的影响需加以认真观察分析、综合考虑。http://www.zbqunqiang.cn/