方法一:HIP热等静压法:将ITO粉体放于不锈钢包套中，100MPa,800一1000℃热等静压，制备密度达98%理论密度的超高密度硅碳棒靶。该法是国外的主要生产方法。但该法生产成本极高，国内只有少数研究所有热等静压设备，不适合我国国情。而且由于氧化物粉体在高温时热分解放出氧气，硅碳棒应力极大，易开裂，包套工艺难度大，需解决氧气溢出问题。方法二:热压烧结法:该法可生产密度达91-%%理论密度的高密度ITO硅碳棒靶，但由于硅碳棒靶尺寸较大，易热应力开裂，故对热压机的温度场均匀性、压力稳定性要求极高，热压机需要进口，而且不适于工业化连续生产，成本高。方法三:冷等静压成型，高压氧气氛气压保护烧结法:将r1D粉体冷等静压成大块硅碳棒坯体，然后在0.1一0.9MPa纯氧环境，1500一1600℃高温烧结，可以生产密度达理论密度95%的硅碳棒靶。该法生产成本较上述两种方法低，适用于工业化批量生产，但使用高温带压纯氧，生产中有一定的危险，Q一16一55高温高氧烧结炉已由我厂研制成功，该炉定型设计后有望工业批量生产，为ITO硅碳棒靶国产化打下了基础。硅碳棒电炉技术参数基本技术参数额定炉温:160090工作介质:0.1一1MPa氧气(99.98%纯度)或洁净空气炉膛尺寸:750深x350宽x350高温度均匀性:士5℃空炉升温时间:8h充气时间:Sh额定功率:75kVA可编程温度段数:30段过程技术参数最高真空度:一0.09MPa(真空状态用于炉气换气，置换空气)条件技术参数冷却水压力:0.2MPa冷却水温度:簇20℃容器出水温度:感3090硅碳棒最大工作电流:270A硅碳棒关断编程电流1:300A硅碳棒关断编程电流2:0A。http://www.zbqunqiang.cn/