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2021-02-07 硅碳棒电炉按规定烧成曲线升温
硅碳棒电炉按规定烧成曲线升温,逐步增加电流、电压,使炉温上升,每隔一定时间(如。5小时),连续测量No.1一No,B热电偶的温度,同时测量硅碳棒电炉温度计温度,热电偶冷端温度、电压、电流,计算出炉子功率。
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2021-02-06 等直径硅碳棒气氛烧结电阻炉的温度场测试
温度场是物体和空间内一切点漫度分布的总称。窑炉中温度场的分布、均匀性和稳定性是表征设备热工性能的重要指标之一,要求烧成室均温区尽量大,以保证烧结等直径硅碳棒质量均匀一致和足够。
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2021-02-05 硅碳棒加热工艺实验装置
现采用新的加热方法:不用氢氧焰,而是采用硅碳棒做加热元件的高温电炉来做热源,实验的系统如图1(a)所示流量控制采用质量流量控制器.精确调节控制反应物原料气体的流量从而控制沉积层的物质浓度和厚度
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2021-02-03 等直径硅碳棒A的体积密度和显气孔率
烧结性能在不同温度保温2h烧成后等直径硅碳棒A的体积密度和显气孔率见图1。可以看出:随着烧成温度的提高,等直径硅碳棒A的致密度逐渐提高,但超过1550℃后提高幅度变小。考虑到烧成温度提高后,材料晶
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2021-02-02 选用的U型硅碳棒为钙基U型硅碳棒
试验中选用的U型硅碳棒为钙基U型硅碳棒,其蒙脱石含量为71.5%(w),伴生有方石英和有机质等杂质;其化学组成(、)为:SiOz64.82%,A120312.38%,FeZ031.03%,TiOz0.10%,Mg01.64%,Ca03.02%,Kz01.34%,NazO2
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2021-01-31 复合材料导电率主要由纳米硅碳棒体积分数决定
复合电阻率,复合材料导电率较好,相比与纯铜来说仅为其1/22/3。复合材料导电率主要由纳米硅碳棒体积分数决定,随着材料中纳米硅碳棒体积分数的降低,导电率随之增加。
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2021-01-30 抗氧化硅碳棒涂层原料的选择标准
采用料浆法,通过控制不同热膨胀系数和高温氧扩散系数的原料的比例,以及硅碳棒涂层中不同物相的浓度分布,根据材料热膨胀系数复合计算公式,在碳化硅电热元件上制备了复合硅碳棒涂层,对硅碳棒涂层的抗热震性能、抗氧化增重性能进行了系统研究
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2021-01-29 高温抗氧化硅碳棒涂层的失效分析
对于碳化硅材料的高温抗氧化硅碳棒涂层的失效分析,认为,硅碳棒涂层的失效由多方面因素造成,其中基体与硅碳棒涂层间的膨胀系数匹配度和基体与硅碳棒涂层中各物质的相变体积效应是最主要的因素。
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2021-01-28 U型硅碳棒材料的热膨胀系数的有较大差异
i0热膨胀系数与U型硅碳棒材料的热膨胀系数的有较大差异以及Si0:本身在随温度变化时发生晶型转变产生相变体积效应,都会造成热震循环过程中Si0:膜开裂,且裂缝密度大。